以下樣例非最新項目，僅表示內(nèi)容格式。具體到每個項目略有不同。

項目名稱：武漢***半導體制造有限公司弘芯半導體生產(chǎn)基地工程(一期)
項目地址：湖北省武漢市東西湖區(qū)徑河街東流港以東，塔西路以西
總建筑面積330860平方米，項目總投資額2366000萬元，總造價60000萬元。該工程計劃新建廠房，辦公樓，配套設(shè)施，主體為鋼結(jié)構(gòu)。開工時間：2018-08-23完工時間：2020-12-18

業(yè)主單位：武漢***半導體制造有限公司
***，法人，183********
***，高管，027-********
地址：湖北省武漢市東西湖區(qū)徑河街啤磚路51號

項目名稱：上海***半導體有限公司特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項目
項目地址：上海市浦東新區(qū)臨港新城裝備產(chǎn)業(yè)園區(qū),L型地塊東臨妙香路,西至云水路,北至江山路,南到蘆五公路
工程造價：48.60億元
項目主體為鋼結(jié)構(gòu)，包含：廠房和配套用房，第一階段：一條8英寸0.11um，6萬片的生產(chǎn)線(其中包括上海先進現(xiàn)有的2.8萬片8英寸產(chǎn)能)；一條12英寸65nm，3,000片先進模擬電路先導生產(chǎn)線；一條6英寸0.5萬片寬禁帶SiC，GaN寬禁帶半導體功率器件先導生產(chǎn)線，第二階段：一條12英寸65nm先進模擬電路生產(chǎn)線，生產(chǎn)能力5萬片；優(yōu)化8英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增加IGBT/FRD，TVS等功率器件的產(chǎn)能；擴充SiC，GaN功率器件的產(chǎn)能工程總投資：3590000萬元。開工時間2018-10，竣工時間2022-07

業(yè)主單位：上海***半導體有限公司
***，監(jiān)事，187********
***，法人，187********
地址：中國上海市浦東新區(qū)亮秀路112號Y1座305室

項目名稱：昆山***光電有限公司第6代有源矩陣有機發(fā)光顯示器件（AMOLED）模組生產(chǎn)線工程
項目地址：河北省廊坊市固安縣新興產(chǎn)業(yè)示范區(qū)內(nèi)
該項目總占地面積為667,000平方米,總建筑面積為580,000平方米的工業(yè)發(fā)展,包含:*數(shù)幢1層至4層高的廠房*辦公樓*倉庫
開工時間：2017年06月完工時間：2020年03月

業(yè)主單位：***光電科技有限公司
***，總經(jīng)理，151********
***，法人，138********
地址：河北�。ɡ确唬┌灾菔虚_發(fā)區(qū)內(nèi)

項目名稱：******導體（無錫）有限公司集成電路研發(fā)和制造基地項目
建設(shè)地點：江蘇省無錫市新吳區(qū)錫興路以東、新洲路以南、312國道以西地塊；
建設(shè)內(nèi)容：******半導體（無錫）有限公司擬投資700億美元，在無錫市新吳區(qū)錫興路以東、新洲路以南、312國道以西地塊，建設(shè)集成電路研發(fā)和制造基地項目。項目擬分三期進行建設(shè)，一期投資25億美元，擬新建一條半導體生產(chǎn)線，主要從事非揮發(fā)性存儲器、先進射頻技術(shù)、高端電源管理等相關(guān)超大規(guī)模集成電路芯片制造；
項目計劃總投資100億美元，一期投資25億美元；
建設(shè)周期：2017-10-30--2020-10-30

業(yè)主單位：上海******半導體制造有限公司
***，總經(jīng)理，021*********，
***，經(jīng)理，189*********,
地址：上海市浦東區(qū)張江高科技園區(qū)哈雷路***號